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簡(jiǎn)要描述：9bit 可調(diào)光延時(shí)線(xiàn)芯片 SOI 硅光子集成多比特光時(shí)延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)，是目前綜合性能和集成度最高的光時(shí)延器產(chǎn)品。采用二進(jìn)制多級(jí)時(shí)延回路結(jié)構(gòu)，芯片集成時(shí)延切換開(kāi)關(guān)和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導(dǎo)回路，延時(shí)切換時(shí)間達(dá)到 200ns 以下，最大總時(shí)延量 1022ps；延時(shí)精度 0.5ps，片內(nèi)單級(jí)延時(shí)損耗低至 0.8dB/bit
產(chǎn)品型號(hào)：ZG廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)廠(chǎng)家更新時(shí)間：2023-10-20訪(fǎng) 問(wèn) 量：997相關(guān)文章
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| 品牌 | 梓冠 |
|---|
硅基單片集成 9bit 可調(diào)光延時(shí)線(xiàn)芯片
〖簡(jiǎn)介Introduction〗
單片集成多比特光時(shí)延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)，是目前綜合性能和集成度最高的光時(shí)延器產(chǎn)品。采用二進(jìn)制多級(jí)時(shí)延回路結(jié)構(gòu)，芯片集成時(shí)延切換開(kāi)關(guān)和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導(dǎo)回路，延時(shí)切換時(shí)間達(dá)到 200ns 以下，最大總時(shí)延量 1022ps；延時(shí)精度 0.5ps，片內(nèi)單級(jí)延時(shí)損耗低至 0.8dB/bit。相比于傳統(tǒng)采用微波傳輸線(xiàn)的電時(shí)延芯片，光時(shí)延器可以適用任意的微波和毫米波頻段，具有極低的串?dāng)_非目標(biāo)時(shí)延信號(hào)消光比。最大時(shí)延 1ns 的 9bit 可調(diào)光延時(shí)芯片尺寸小至 2cm×1.5cm，大幅度減小系統(tǒng)體積；由于光載波頻率相對(duì)于微波信號(hào)大至 4 個(gè)數(shù)量級(jí)的頻率比，光子集成的時(shí)延器芯片具有覆蓋從米波到毫米波全頻段的信號(hào)處理能力，適合各類(lèi)超寬帶相控陣的波束合成應(yīng)用。
〖特性Features〗
n 高速切換（100～200ns）
n 高延時(shí)精度（0.5ps 典型值，0.2ps 可達(dá)）
n 超小尺寸
n 超寬帶工作
n 全固態(tài)波導(dǎo)芯片可靠性強(qiáng)
n 大時(shí)延范圍(～2ns 可達(dá))
n 高功率耐受度（ 23dBm 典型值）
應(yīng)用Applications〗
n 光控相控陣系統(tǒng)、超寬帶光域信號(hào)處理
性能指標(biāo)/Parameter | 單位/Unit | 典型值/Typ. | 備注/Notes |
工作波長(zhǎng)/Operationwavelength | nm | 1530-1570 | |
延時(shí)位數(shù)/Delay bits | / | 9 | 可定制/Can be customized |
最小延時(shí)步進(jìn)/Min.step-delay | ps | 2 | 可定制/Can be customized |
可調(diào)節(jié)最大延時(shí)量/Adjustable max.delay | ps | 1022 | |
延時(shí)精度 | ps | ±0.5 | ≤16ps 延時(shí)量 |
±1 | 18~64ps 延時(shí)量 | ||
±2 | 66~512ps 延時(shí)量 | ||
±3 | 514~1022ps 延時(shí)量 | ||
延時(shí)切換時(shí)間/Delay switching time | ns | 200 | |
插入損耗/Insertion loss | dB | 11 | 13dB max |
各延時(shí)態(tài)損耗差異/Delay state loss difference | dB | ±1 | |
耐受光功率 | dBm | 23 | 26dBm max |
回波損耗/Return loss | dB | 45 | |
芯片尺寸/Chip dimension | mm | 20×15×0.7 |
9bit 可調(diào)光延時(shí)線(xiàn)芯片 SOI 硅光子
9bit 可調(diào)光延時(shí)線(xiàn)芯片 SOI 硅光子
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